FireFox插件軟體介紹--書籤帶走書籤帶走

1



2



3



4



5



6



7



8



9



10



11

FireFox插件軟體介紹

1


2


3



4

SIMS 二次離子質譜儀

二次離子質譜儀

SIMS : Secondary Ion Mass Spectrometry ：二次離子質譜
イオン(一次イオン)を試料表面に入射させると、試料表面からは電子・中性粒子・イオンなど様々な粒子が放出されます。離子（主要離子）和事件表面的樣本從樣品表面和電子離子和中性粒子的排放。 SIMSはこれらの粒子のうちイオン(二次イオン)を検出し、各質量における検出量を測定することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行う手法です。離子質譜這些粒子（二次離子）和計量檢測的數量每個檢測質量，並定性定量方法的組成部分列入樣本。

特徴

* 高感度（ppb～ppm）高靈敏度（十億分之〜百萬分之一）
* HからUまでの全元素の分析分析的所有內容從H到U
* 検出濃度範囲が広い（主成分元素から極微量不純物まで）檢測範圍廣泛的濃度（從南極到微量雜質元素的主要組成部分）
* 定量分析が可能可以定量分析
* 深さ方向分析深入分析
* 同位体分析が可能同位素分析可以
* 数～数10nmの深さ方向分析能での評価平均人數- 10nm的人數在深入分析潛在
* 数μm角までの微小領域の測定分地區的幾個微米的角度來衡量

測量原理


酸素やセシウムなどのイオン(一次イオン)を試料表面に照射すると表面および表面近傍の原子は攪拌され、一部が真空中に飛び出てきます。如氧氣和銫離子（主要離子）和表面原子的表面和附近的照射樣品表面噴，你有一些飛畢出真空。 飛び出してきた粒子のうちイオン(二次イオン)を質量分析することで、試料中に含まれる成分の定性・定量を行います。離子出粒子（二次離子）的質譜，並定量和定性的組成部分列入樣本。



質譜測量原理

實例數據

深入分析

深さ方向分析をご依頼いただいた際に提出させていただくデータ例を示します。 下面是一個實例數據您提交要求進行深入分析。





～面分析。三維表面分析（膜の組成不均一性と元素局在状態の可視化）

以ZnO膜の平面イメージと、白いラインを引いた部分の断面イメージを示します。 圖像平面的ZnO薄膜顯示橫斷面圖像的白線。 この例では、膜を構成する元素の不均一性と局在化の評価を行なっています。在這個例子中，我們進行了模的構成要素本地化和非均質性的的評估。



例三維分析的表面分析

（試料提供：信州大学工学部電気電子工学科　橋本佳男先生）

関連資料（分析事例）

* 高い精度で分析～極浅不純物分布において為了準確地分析分佈的超淺雜質
* 極浅い領域の不純物を測定する方法 如何衡量雜質淺極區
* 極浅い不純物の評価～ultra-Shallow～ 評價淺雜質極〜超淺〜
* SSDP法（＝Substrate Side Depth Profile …基板側から解析する方法 ）によるSIMS分析事例 SSDP進程（ =底側深度調剖...從如何分析襯底）的質譜案例分析
* 次世代トランジスタ材料の不純物評価 平均雜質的材料下一代晶體管
* SiON膜Nドーズ量の高精度分析 錫永高精密分析的數額膜ñ道斯
* 発光ダイオード不純物評価平均雜質發光二極管

應用

下記材料に関する次のような分析がございます。提供以下分析材料。
・構成元素の評価評價元素組成
・汚染や不純物の評価評價污染和雜質
・深さ方向への元素分布評価平均深度分佈的因素
・元素の2D分布二維分佈的因素
・元素の3D分布三維分佈的因素
# ・各種金属材料各種金屬 半導体材料（メタルゲート・メタル電極　など）半導體材料（金屬和金屬柵電極）
# 工業材料（鉄鋼・各種合金・貴金属・レアメタル・半田・電池材料　など）材料（貴重金屬和稀有金屬的釬料合金材料和鋼鐵電池）
# 半導体製造装置材料（構成素材・ターゲット材料　など）半導體製造設備（如目標材料包括材料）
# ・各種無機材料各種無機材料 半導体材料（Si・化合物半導体・酸化物　など）半導體材料（ Si和氧化物半導體）
# 工業材料（非鉄金属・セラミック・機能性材料・電池材料・光学材料　など）工業材料（如電池材料光學材料的功能陶瓷材料和有色金屬）
# ディスプレー（電極材料・ガラス　など）顯示（如玻璃電極材料）
# 半導体製造装置（坩堝(るつぼ)・構成素材・ターゲット材料　など）半導體製造設備（坩堝（鍋）和靶材料包括材料）
# ・各種炭素材料各種碳材料 半導体材料（ダイヤモンド・SiC・カーボンナノチューブ　など）半導體材料（ SiC和鑽石碳納米管）
# 工業材料（機能性材料・炭素繊維・自動車材料・グラファイト・活性炭　など）工業材料（碳素纖維汽車材料，如碳石墨材料的功能）
# 半導体製造装置（SiC・坩堝(るつぼ)　など）半導體設備（碳化矽坩堝（鍋） ）

# ・各種有機材料各種有機材料 半導体材料（層間絶縁膜・有機半導体材料・高分子材料・低分子材料　など）半導體材料（如低分子量聚合物材料層間絕緣膜的有機半導體材料）
# ディスプレー（有機EL材料・高分子材料・低分子　など）顯示器（低分子有機EL材料和高分子材料）

SEM 掃描式電子顯微鏡

電子顕微鏡SEM : Scanning Electron Microscopy
SEMは、電子線を試料に当てて試料から出てくる電子の情報を基に、試料の凹凸や組成の違いによるコントラストを得ることができます。
所有装置の特徴
簡単な操作で高倍率観察(30万倍程度まで)ができる。
二次電子（Secondary Electron;SE）像、反射電子（Backscattered Electron;BSE）像、透過電子（Transmitted Electron;TE）像の観察ができる。
加速電圧0.1～30kVの範囲で観察が可能。
最大6インチまで装置に搬入可能(装置による)
測定原理
SEMは、試料に電子を当て、試料から放出される二次電子、反射電子、試料を透過した透過電子(要薄片化)により像を得ることができます。　SEMでは、観察領域(奥行き）が、加速電圧や材料により入射電子の広がり方が異なることに影響されるため、目的によって最適な加速条件を選定する必要があります。
データ例
～二次電子像～

最表面情報が優れている
高い分解能を得ることができる
電位コントラストが優れている
～反射電子像～

組成情報が優れている
エッジコントラストが小さい
チャージアップの影響が少ない
～透過電子（SEM-STEM）像～

わずかな密度差や組成差のコントラスト像を得ることができる
関連手法
エネルギー分散型X線分光法（EDX-SEM）
適用例
・試料表面観察
付着異物の形状観察
PDPアノード列の鳥瞰図観察
剥離面の凹凸状態の観察（剥離密着性の違いの観察）
キューティクルの状態評価
繊維に付着した微粉塵の拡大観察
メッキ表面の平坦性観察
非導電性物質の低加速観察
・試料断面観察
VIAの埋込み不良の観察
エッチングによる注入層の視覚化
半導体素子断面の構造観察
膨張部直下の空洞（ボイド）の確認
反射電子像の組成コントラストによる断面構成の観察
メッキ厚みの凹凸別観察
バンプの断面観察による密着性評価
バーズビークの形状観察
低加速STEMによる酸化膜界面の観察
・故障解析
吸収電流法（EBAC）によるコンタクトオープン不良の発見（コンタクトチェーン）
EBICによる接合位置の可視化
ストライエーション観察による金属疲労評価
電位コントラストによるコンタクトチェーン不良箇所の特定
レイヤー解析(Layer解析)
・膜厚測定
垂直断面観察による測長
マイクロスケールによる較正
合金層の膜厚や分布の観察
バリアメタルの均一性評価
・粒径測定
反射電子像による結晶粒観察